在高频电路中比较常用的片式电感有光刻薄膜电感、片式绕线电感和叠层片式电感三种。由于内电极的结构特点有明显不同,即使参数规格相同情况下,其电路响应却不尽相同。实际电路应用中对电感器件的选择有一定规律和特点,在此可略作归纳如下:

        谐振放大:典型的高频放大电路通常采用谐振回路作为输出负载。对其增益和信噪比等主要性能参数来说,片式电感的品质因素Q成为关键。L的少许误差影响可由多种电路形式予以补偿和修正,因而多采用绕线片式电感和叠层片式电感,对工作频率下的Q值要求较高。而薄膜片式电感无论是价格还是性能在此都不适合。

        阻抗匹配:射频电路(RF)通常由高放(LNA)、本振(LO)、混频(MIX)、功放(PA)、滤波(BPF/LPF)等基本电路单元构成。在特性阻抗各不相同的单元电路之间,高频信号需要低损耗耦合传输,阻抗匹配成为必不可少。典型方案是利用电感与电容组合为“倒L”或“T”型匹配电路,对其中的片式电感,匹配性能的好坏很大程度是取决于电感量L的精确度,其次才是品质因素Q的高低。在工作频率较高时,往往使用光刻薄膜电感来确保高精度的L。其内电极集中于同一层面,磁场分布集中,能确保装贴后的器件参数变化不大。

        高频滤波:低通滤波(LPF)常见于高频电路的供电去耦回路,有效抑制高次谐波在供电回路的传导,额定电流和可靠性是首要关注参数;而带通滤波(BPF)则多用于高频信号的耦合,或同时兼有阻抗匹配的作用。此时插入衰减要尽量小,L、Q是此时的重点参数。综合比较,叠层片式电感最适合这种应用。

        本地振荡:本振电路(LO)必须由含振荡回路的放大电路构成,通常是以VCO-PLL的形式向RF电路提供精确的参考频率,因此本振信号的质量直接影响着电路系统的关键性能。振荡回路中的电感必须具有极高的Q值和稳定度,以确保本振信号的纯净、稳定。由于石英晶体具有相对较宽的阻抗动态补偿,此时对片式电感的L精度要求并不是首要指标,因此叠层片式电感和绕线片式电感多被用于VCO电路。